成分范圍

　　鉬（Mo）含量：50%~90%（常見牌號Mo50Cu50、Mo70Cu30、Mo85Cu15等）

　　銅（Cu）含量：10%~50%（調整比例可優化導熱、導電及機械性能）

　　生產工藝

　　1.主要制備方法

　　粉末冶金法（主流工藝）：

　　混粉：高純鉬粉（≥99.95%）與銅粉混合。

　　壓制成型：冷等靜壓（CIP）或模壓。

　　燒結-熔滲：在氫氣保護下，1200–1400℃燒結，銅熔滲填充鉬骨架孔隙，致密度＞98%。

　　熱軋/冷軋法：鉬銅復合坯料經軋制后退火，提高尺寸精度。

　　2.關鍵質量控制

　　致密度：影響導熱性，需控制孔隙率＜2%。

　　界面結合：鉬-銅界面需無氧化、無分層。

　　表面處理：可鍍鎳、鍍金以提高焊接性和抗氧化性。

　　應用領域

　　電子封裝

　　散熱基板：用于大功率LED、激光二極管、IGBT模塊，導熱性優于Al?O?陶瓷。

　　芯片載體：熱膨脹系數匹配半導體，減少熱應力開裂。

　　航空航天

　　火箭噴管襯套：耐高溫燃氣沖刷（鉬銅70/30可耐1500℃）。

　　衛星熱控材料：高導熱+低膨脹，保障設備溫度穩定性。

　　電力與真空器件

　　真空開關觸點：抗電弧燒蝕，壽命比純銅提高5–10倍。

　　微波管散熱片：用于雷達、通信設備的高頻散熱。

　　其他領域

　　激光焊接電極：高熔點+高導熱，減少電極損耗。

　　核聚變實驗裝置：作為第 一壁材料候選，耐受等離子體沖擊。